ALD
是一種基于氣體前驅(qū)在表面的依次反應(yīng)的有效薄膜沉積創(chuàng)新技術(shù)。

• 精確的原子級(jí)厚度和成分控制

• 復(fù)雜三維納米微結(jié)構(gòu)深槽高寬比的優(yōu)異保形性

• 在大面積基底中具有優(yōu)異的厚度均勻性

• 工藝溫度低于化學(xué)氣相沉積

• 可用材料：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、層壓板、混合材料

• 應(yīng)用領(lǐng)域：半導(dǎo)體、顯示器、太陽(yáng)能電池、LED、MEMS、光學(xué)、生物、納米及柔性器件

• 系統(tǒng)規(guī)范

  反應(yīng)器容積：100 cc ~ 500 cc

• 過(guò)濾器尺寸：變量(0.5 μm~ )

• 反應(yīng)器加熱：最高300℃
  
  （反應(yīng)器器體：230℃以上）

• 反應(yīng)器旋轉(zhuǎn)：直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)器

• 轉(zhuǎn)速：10 ~ 60 rpm

• 如需更多信息可以聯(lián)系我們，謝謝