關于我們

CN1成立于2008年，至今通過積極的研發(fā)投資，已成為

原子層沉積設備的領先供應商。

我們的設備設計和工藝技術經(jīng)過十多年的深入發(fā)展，已經(jīng)得到了充分的證明和完善。

因此，從事半導體、顯示器、生物技術和先進能源行業(yè)的高科技組織現(xiàn)在更喜歡CN1有限公司的原子層沉積系統(tǒng)，以滿足其最苛刻的納米技術應用和生產(chǎn)需求

CN1有限公司的原子層沉積設備目前正在美國、日本、新加坡、俄羅斯、中國大陸、中國臺灣和韓國的數(shù)百所一流大學、研究機構和公司使用，這就是證明。

迄今為止，我們的成功以及我們作為一家全球性的公司不斷發(fā)展的動力證明，CN1確實“可以成為第一”。

ALD
是一種基于氣體前驅(qū)在表面的依次反應的有效薄膜沉積創(chuàng)新技術。

• 精確的原子級厚度和成分控制

• 復雜三維納米微結構深槽高寬比的優(yōu)異保形性

• 在大面積基底中具有優(yōu)異的厚度均勻性

• 工藝溫度低于化學氣相沉積

• 可用材料：金屬、金屬氧化物、金屬氮化物、金屬硫化物、層壓板、混合材料

• 應用領域：半導體、顯示器、太陽能電池、LED、MEMS、光學、生物、納米及柔性器件

  
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