光電子

與成熟技術(shù)相比，新興半導(dǎo)體光子器件（如微型發(fā)光二極管）在性能上有許多改進(jìn)。在向晶圓級技術(shù)遷移的過程中，先進(jìn)的器件架構(gòu)和微型化也帶來了工藝技術(shù)和制造方面的挑戰(zhàn)。ALD技術(shù)沉積的薄膜具備必須的的保形性、兼容多種材料可實現(xiàn)多種薄膜功能，可滿足這些嚴(yán)格的設(shè)計要求，實現(xiàn)microLED、VCSEL 和其他化合物半導(dǎo)體光電器件的大批量生產(chǎn)。

工藝選項：Thermal ALD Plasma-Enhanced ALD

材料：Al2O3, AlN, SiO2, Si3N4, HfO2, ZrO2

基底：GaAs, InP, GaN (InGaN, AlGaInP), AlN 3, 6, 8, 12″ wafers

我們的Transform集群平臺具有熱法和PEALD功能，適用于：
- 溝槽側(cè)壁鈍化，例如 MESA 結(jié)構(gòu)；
- 表面鈍化的高質(zhì)量薄膜；
- 可調(diào)諧、基于氧化物的分布式布拉格反射器 (DBR) 制造；
- 用于散熱的介質(zhì)層；
- 透明導(dǎo)電氧化物沉積。