功率器件

在晶圓制造進入45nm 制程特別是28nm 之后，等比縮放后傳統(tǒng)的SiO2-MOSFET薄膜材料厚度需在1nm 及以下時，將產(chǎn)生明顯的量子隧穿效應(yīng)和多晶硅耗盡效應(yīng)，導(dǎo)致漏電流急劇增加，器件性能急劇惡化，已不能滿足技術(shù)發(fā)展的要求。

高電子遷移率和無與倫比的高擊穿場強使GaN和SiC等寬帶隙半導(dǎo)體成為下一代功率器件的首選材料。ALD技術(shù)可有效解決GaN表面氧化問題，用最小的表面損傷去除GaN基底表面的自然氧化層，從而獲得高質(zhì)量界面，這對提升功率器件性能至關(guān)重要。

工藝選項：Thermal ALD Plasma-Enhanced ALD

材料：Al2O3, AlN, SiO2, Si3N4, HfO2, Ta2O5, TiO2

基底：GaN, SiC, Si 3, 6, 8, 12″ wafers

我們的ALD工藝可沉積超薄無針孔的薄膜，且可提供精準的膜厚控制。我們的集群平臺可集成熱法和PEALD功能，可為功率器件提供一系列薄膜解決方案:
- 高 k 柵極電介質(zhì)沉積；
- 表面鈍化以獲得高質(zhì)量界面；
- 外延成核或種子層；
- 晶圓級薄膜封裝